PIN-фотодиод из арсенида галлия-индия с коаксиальным волоконным выводом, скоростью передачи 3-10 Гбит/с и длиной волны 1100-1650 нм характеризуется минимальным потреблением энергии, низким темновым током, низкими обратными потерями, хорошей гибкостью, линейностью, компактным дизайном, небольшими размерами, высокой надежностью и долгим сроком службы. Он в основном применяется в приемниках для кабельного телевидения, приемниках оптического сигнала для аналоговых систем и детекторах уровня мощности.
(Чтобы получить более детальную информацию о продукте, пожалуйста, загрузите данный PDF-файл.)
Оптические и электрические характеристикиПараметр | Обозначение | Мин. значение | Стандартное значение | Макс. значение | Ед. измерения | Условия испытания |
Диапазон длины волн | λ | 1100 | - | 1650 | нм | - |
Диапазон мощности | P | -70 | - | +6 | дБ/мВт | 5В |
Активный диаметр | Ad | 25 | 80 | мкм | - | |
Темновой ток | Id | - | 0,2 | 0,5 | нА | 5В |
Спектральная светочувствительность | R | - | 0,85 | 0,90 | А/Вт | λ=1310 нм |
0,90 | 0,95 | λ=1550 нм | ||||
Полоса пропускания частот | Bw | 1 | 10000 | МГц | ||
Частота отклика | Fr | - | ±0,5 | - | дБ | |
Емкость | Ct | - | 0,5 | 0,65 | пФ | - |
Время отклика | Tr | 0,1 | - | нс | - | |
Композитные искажения второго порядка | CSO | - | -70 | - | дБн | |
Композитные искажения третьего порядка | CTB | - | -80 | - | дБн |
Будучи специализированным производителем оптоэлектронных устройств, компания Shengshi предлагает своим клиентам PIN-фотодиоды из арсенида галлия индия с коаксиальным волоконным выводом, драйверы для лазерных диодов, лазерные диоды DFB и CWDM и т.д.
Схожие названия
PIN-фотодиод InGaAs | Чувствительный фотодиод | Фотодиод с малыми потерями
Wuhan Shengshi Optical Technology Co., Ltd.
Контактное лицо:Wendy
Skype: Wendy_laser
Тел.: +86-27-87179709
Факс: +86-27-87172995
Мобильный тел.: +86-15902779619
Эл. почта: wendy@laserdiodedevice.com
Вебсайт: www.laserdiodedevice.com